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安卓充电器
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其恢复时间长达130nS

2019-05-31 14:46
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  场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动,在驱动级上有些不一样,没弄过场管功放,音质怎要看你设计和工艺!

  IRFB33N15D是一颗非常好的MOS管,其导通内阻低达56m,最大电流为33A,耐压却有150V,常用于DC/DC的变换器中,当然,在数字功放中,也经常应用。

  其也有不足的地方,其输入电容为2020pF,和常见的MOS管一样,在驱动它时,就要采用特殊电路来驱动,如同你的电路中的R29和D3并联电路,也是业界惯用手法,其作用是:

  当没有R29时,Q7的栅极直接接前面的IC引脚,其内部都是图腾柱电路,由于是容性负载,都会有振荡产生,从而使驱动波形出现振铃现象,产生的后时是,MOS管开启不够,内阻大,效率低。 串入R29可以消除这种振荡,其和后续的MOS管输入电容(Ciss)的时间常数要远小于MOS管的开启时间13ns,而4.7的2020pF的时间常数为9.5nS,满足要求。

  IRFB33N15D用标准电路(相当于R29为3.6)驱动时,其恢复时间长达130nS,这也是MOS管的通病,为了加快关断(争取这9.5nS的时间),在关断时,希望栅级电阻为0,所以会在R29上反向并联肖特基二极管D3(其工作频率可以近GHz),来加速放电。

  IRFB33N15D的VGS在3.0V至5.5V这间,实际驱动时,取决于IRS2902S的工作电压,实际都在10V左右,肖特基二极管D3的正向压降只有1.2V左右(电流1A,但其V/I约为0,动态内阻极低),已经可以确保Q7和栅极处于低于VGS以下,对关断没有影响。 另外,你要学习动态内阻的含义,如同电源,其压降可能是5V,但其内阻可以低达十几毫欧。

  这个电路里的2颗场效应管不能同时导通,所以,在它们工作的时候,要关断优先,导通稍缓。D3,D4二极管就能够在驱动电压下降的时候,迅速释放场效应管的栅极结电压,从而使管子从导通状态恢复到关断状态的时间大大缩短。而驱动电压上升的时候,要通过R29,R27给管子的栅极结电容充电,从而延缓了管子的导通时间。 就这样实现了关断优先,导通稍缓的功能,大大的避免了一个管子还没退出导通,另一个管子已经进入导通的状态。